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是 DDR2 尺度的两倍

浏览次数: | 时间:2019-11-23

  存储器类型 ①SRAM RAM ②DRAM SDRAM SSRAM ROM ①MASK ROM ②OTP ROM ③PROM ④EPROM ⑤EEPROM ⑥FLASH Memory RAM: Random Access Memory 随机拜候存储器 存储单位的内容可按需随便取出或存入,这种存储器正在断电时将丢失其存储内容,故 次要用于存储短时间利用的法式。它的特点就是是易挥发性(nonvolatile) ,即掉电失 忆。 ROM: Read Only Memory 只读存储器 ROM 凡是指固化存储器(一次写入,频频读取),它的特点取 RAM 相反。 留意: ① 我们凡是能够如许认为,RAM 是单片机(MCU)的数据存储器(这里的数据包罗 内部数据存储器(用户 RAM 区,可位寻址区和工做组寄放器)和特殊功能寄放器 SFR) ,或是电脑的内存缓和存,它们掉电后数据就消逝了(非易失性存储器除外, 好比某些数字电位器就易失性的) 。ROM 是单片机的法式存储器,有些单片 机可能还包罗数据存储器,这里的数据指的是要保留下来的数据,即单片机掉电 后仍然存正在的数据,好比采集到的最终信号数据等。而 RAM 这个数据存储器只是 正在单片机运转时,起一个暂存数据的感化,好比对采集的数据做一些处置运算, 如许就发生两头量,而 RAM 这个数据存储器就是到临时存取两头量的,最终的结 果要放到 ROM 的数据存储器中。 (如下图所示) ② ROM 正在一般工做形态下只能从中读取数据,不克不及快速的随时点窜或从头写入数 据。它的长处是电布局简单,并且正在断电当前数据不会丢失。错误谬误是只合用于 存储那些固定命据的场所。RAM 取 ROM 的底子区别是 RAM 正在一般工做形态下 就能够随时向存储器里写入数据或从中读取数据。 SRAM: Static RAM 静态随机拜候存储器 它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电即能保留它内部存储的数据。不 像 DRAM 内存那样需要刷新电,每隔一段时间,固定要对 DRAM 刷新充电一次, 不然内部的数据即会消逝,因而 SRAM 具有较高的机能,可是 SRAM 也有它的错误谬误, 即它的集成度较低,不异容量的 DRAM 内存能够设想为较小的体积,可是 SRAM 却 需要很大的体积,盘球网址所以正在从板上 SRAM 存储器要占用一部门面积。 ◎长处,速度快,不必共同内存刷新电,可提高全体的工做效率。 ◎错误谬误,集成度低,功耗较大,不异的容量体积较大,并且价钱较高,少量用于环节 性系统以提高效率。 DRAM: Dynamic RAM 动态随机拜候存储器 DRAM 只能将数据连结很短的时间。为了连结数据,DRAM 利用电容存储,所以 必 须隔一段时间刷新(refresh)一次,若是存储单位没有被刷新,存储的消息就会丢失。 细致: 既然内存是用来存放当前正正在利用的(即施行中)的数据和法式,那么它是怎样工做 的呢?我们泛泛所提到的计较机的内存指的是动态内存(即 DRAM) ,动态内存中所 谓的“动态”,指的是当我们将数据写入 DRAM 后,颠末一段时间,数据会丢失,因而 需要一个额外设电进行内存刷新操做。具体的工做过程是如许的:一个 DRAM 的 存储单位存储的是 0 仍是 1 取决于电容能否有电荷,有电荷代表 1,无电荷代表 0。 但时间一长,代表 1 的电容会放电,代表 0 的电容会接收电荷,这就是数据丢失的原 因;刷新操做按期对电容进行查抄,若电量大于满电量的 1/2,则认为其代表 1,并 把电容充满电;若电量小于 1/2,则认为其代表 0,并把电容放电,藉此来连结数据 的持续性。 留意: DRAM 存储单位的布局很是简单,所以它所阿谁达到的集成度远高于静态存储器。但 是 DRAM 的存取速度不如 SRAM 快。 SSRAM: Synchronous Static RAM 同步静态随机拜候存储器 同步是指 Memory 工做需要时钟,内部的号令的发送取数据的传输都以它为基准, 随机是指数据不是线性顺次存储,而是由指定地址进行数据读写。 对于 SSRAM 的所有拜候都正在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控 制信号均于时钟信号相关。这一点取异步 SRAM 分歧,异步 SRAM 的拜候于 时钟,数据输入和输出都由地址的变化节制。 SDRAM: Synchronous Dynamic RAM 同步动态随机拜候存储器 MASK ROM:掩模只读存储器,是制制商为了要大量出产,事先制做一颗有原始数据的 ROM 或 EPROM 当做样本,然后再大量出产取样本一样的 ROM,这一种做为大量生 产的 ROM 样本就是 MASK ROM,而烧录正在 MASK ROM 中的材料永久无法做 点窜。 OTP ROM: one-time programmable ROM :一次性可编程只读存储器 PROM: Programmable ROM 可编程只读存储器,内容一经写入当前,就不成能点窜了,所以 只能够写入一次 EPROM: Erasable Programmable ROM 可擦除可编程只读存储器,用紫外线映照进行擦除,高 压编程写入(+21V 或+12V) EEPROM: Electrically Erasable Programmable ROM 电信号可擦除可编程只读存储器, 用电信号 擦除。 FLASH Memory: 闪存,电信号可擦除 MASK ROM,FALSH ROM 和 OTP ROM 的区别: MASK ROM 的 MCU 价钱廉价, 但法式正在出厂时曾经固化, 适合法式固定不变的使用场所; FALSH ROM 的 MCU 法式能够频频擦写,矫捷性很强,但价钱较高,适合对价钱不的 使用场所或做开辟用处;OTP ROM 的 MCU 价钱介于前两者之间,同时又具有一次性可编 程能力,适合既要求必然矫捷性,又要求低成本的使用场所,特别是功能不竭翻新、需要迅 速量产的电子产物。 OTP ROM 和 PROM 的配合点是只能被设备编程器进行一次编程。 DDR: Double Date Rate 双倍速,常见的 DDR SDRAM 指的是双倍速度同步动态随机拜候存储器 DDR SDRAM 和 SDRAM 的不同:SDRAM 正在一个时钟周期内只传输一次数据,它是正在时钟的 上升期进行数据传输;而 DDR 内存则是一个时钟周期内传输两次次数据,它可以或许正在时 钟的上升期和下降期各传输一次数据,因而称为双倍速度同步动态随机存储器。DDR 内存能够正在取 SDRAM 不异的总线频次下达到更高的数据传输率。 DDR 其实是 DDR1,后续的还有 DDR2, 和 DDR3 ● DDR3 能取代 DDR2 内存的缘由: ○频次: DDR3 能够正在 800MHz 至 1666MHz 下运转 (也可更高)而 DDR2 是正在 533MHz 至 1066MHz , 下运转。一般来讲,DDR3 是 DDR2 频次的两倍,通过削减一半读写时间给系统带来操做 机能提高。 ○功耗:DDR3 比拟 DDR2 能够节约 16%的电能,由于新一代 DDR3 是正在 1.5V 电压下工做,而 DDR2 则是正在 1.8V 下工做, 如许能够填补因为过多的操做频次所发生的高电能耗损, 同时, 削减的能量耗损能够耽误部件的利用寿命。 ○手艺:DDR3 内存 Bank 添加到了 8 个,比 DDR2 提高了一倍。所以比拟 DDR2 预读取会提高 50%的效率,是 DDR2 尺度的两倍。